我们非常重视您的个人隐私，当您访问我们的网站时，请同意使用的所有cookie。有关个人数据处理的更多信息可访问《隐私政策》
产品特性
- 内部集成650V的GaN开关管和半桥驱动器
- GaN导阻电阻150mΩ
- 无反向恢复损耗
- 内置LDO，使驱动电压更稳定可靠
- 高低边独立 UVLO 保护功能
- 内部可调死区时间
- 内置自举二极管
- Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃
- 封装形式: QFN (9*9mm)
应用场景
- 图腾柱PFC、ACF和LLC等半桥或全桥拓扑
- 适配器高密电源
- 光伏、电机驱动及新能源领域
功能框图
设计和开发
如您需要咨询产品更多信息，请点击“联系我们”，我们将尽快回复您!
您好，感谢您的咨询。
请提供以下信息，我们会尽快安排相关人员与您对接，谢谢。
