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雷竞技会员人数 的非隔离低边驱动器,拥有低延时、驱动能力强、输入耐负压等特色性能,可降低开关损耗、提高系统对噪声的恢复能力和提高系统密度,从而实现高效、高可靠的系统设计。
产品选型表
显示 6 种器件
产品名称 | 驱动对象 | 峰值驱动电流 (A) | 输出通道 | VCC(Max)(V) | 传播延时(Max) ton/off(ns) | 延迟匹配(ns) | 特性 | 工作温度 (°C) | 产品等级 | 封装 |
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NSD1026V-DSPR | GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 27/27 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | SOP8 |
NSD1026V-DHMSR | GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 27/27 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | EP-MSOP8 |
NSD1026V-DDAER | GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 27/27 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | DFN8 |
NSD1026V-Q1SPR | GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 27/27 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | SOP8 |
NSD1026V-Q1HSPR | GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 27/27 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | EP-SOP8 |
NSD1026V-Q1HMSR | GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 27/27 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | EP-MSOP8 |
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