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车规级高压半桥非隔离栅极驱动器

雷竞技会员人数高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。

雷竞技会员人数创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。

NSD1624x-Q1可兼容TTL/CMOS输入。高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。

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产品特性

应用场景

功能框图

产品特性

• 高压侧电压范围：+/-1200V（SOP14封装）；+/-700V（SOP8封装）

• 低于35ns传播延时，低于7ns延时匹配

• +4/-6A 驱动电流能力

• 高低侧独立UVLO功能

• 独立逻辑地管脚（SOP14封装）

• 高达150kV/us的高压侧dV/dt抗干扰能力

• 工作温度范围：-40℃~125℃

• 通过AEC-Q100认证

应用场景

• 半桥、全桥、LLC电源拓扑

• 高效高密度工业、通信、服务器电源

• 太阳能、电机驱动及新能源领域

功能框图

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