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隔离半桥驱动

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第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器

NSI6602V-Q1是雷竞技会员人数 第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力,且功耗更低,同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。typical 150kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大耐压为30V,而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。它还有多个封装可供选择,最小封装是4*4mm LGA封装,可用于对体积要求高的场景。

产品特性

- 隔离式双通道驱动器

- 输入侧电源电压: 3V至18V

- 驱动器侧电源电压:最大耐压30V,具有UVLO功能

- 峰值6A/8A拉灌电流能力

- 高CMTI:typical 150kV/μs

- 25ns典型传播延迟

- 5ns最大延迟匹配

- 6ns最大脉冲宽度失真

- 可编程死区时间

- 接受最小输入脉冲宽度15ns

- 工作温度: -40℃~125℃

- AEC-Q100认证

安全认证

- UL1577认证:

LGA13(4*4mm):1分钟 1.6kVrms

LGA13(5*5mm):1分钟 2.5kVrms

SOW14:1分钟 5.7kVrms

SOW16:1分钟 5.7kVrms

SOP16:1分钟 3kVrms

- CQC认证:符合GB4943.1-2011

- CSA认证:组件符合5A

- VDE认证:DIN V VDE V 0884-11:2017-1



应用场景

- 服务器,电信和工业中的隔离式DC-DC和AC-DC电源

- DC-AC太阳能逆变器

- 电机驱动和EV充电

- UPS和电池充电器

功能框图

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